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許俊權 
電話：0755-83234840
手機：13530404658
LTV-352T 光耦合器
表面安裝 Mini-Flat
封裝4引腳
LTV-352T特征
高輸入輸出隔離電壓（Viso =3,750Vrms）
外形：LTV-352T
LTV-352T應用
高電流傳輸比（CTR : MIN. 1000% at IF =1mA, VCE =2V ）
高集電極-發射極電壓（VCEO =300V）
迷你扁平封裝：2.0mm
需要高密度安裝的混合基板。
電話機
復印機、傳真機
與各種電源電路、配電板接口。
LTV-352T尺寸圖
包裝圖
參數圖
ABSOLUTE MAXIMUM RATING ( Ta = 25°C )
參數 符號 單位
正向電流 IF 50 mA
反向電壓 VR 6 V
輸入
功耗 P 70 mW
集電極 - 發射極電壓 VCEO 300 V
發射極 - 集電極電壓 VECO 0.1 V
集電極電流 IC150 mA
輸出
集電極功耗 PC 150 mW
總功耗 Ptot 170 mW
*1 隔離電壓 Viso3,750 Vrms
工作溫度 Topr-55 ~ +100 °C
儲存溫度 Tstg-55 ~ +150 °C
*2 焊接溫度 Tsol 260 °C
*1. AC 1 分鐘，R.H. = 40 ~ 60% 隔離電壓應使用以下方法測量。
(1)yi次側的陽極和陰極之間以及二次側的集電極和發射極之間短路。
(2) 應使用帶過零電路的隔離電壓測試儀。 (3) 施加電壓的波形應為正弦波。
*2. 10 秒
電氣 - 光學特性 (Ta = 25°C)
參數符號.TYP.MAX.UNITCONDITIONS
正向電壓 VF — 1.2 1.4 V IF=10mA
反向電流 IR — — 10 μAVR=4V
輸入
終端電容 Ct — 30 250pF V=0, f=1KHz
集電極暗電流 ICEO — — 200nA VCE=200V, IF=0
集電極-發射極擊穿電壓 BVCEO 300— — V IC=0.1mA IF=0
輸出
發射極-集電極擊穿電壓 BVECO 0.1 — — V IE=10μA IF=0
集電極電流 IC 10 — — mA
*1電流傳輸比 CTR 1,000— — % IF=1mA VCE=2V
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat) — — 1.2 V IF=20mA IC=100mA
隔離電阻 Riso 5×10101×1011— Ω DC500V 40 ~ 60% R.H. 浮動電容 Cf — 0.6 1 pFV=0, f=1MHz
截止頻率 fc17 — kHz VCE=2V, IC=20mA RL=100Ω, -3dB 響應時間 (Rise) tr — 100 300μs
傳輸特性
響應時間（下降） tf — 20 100μs VCC=2V，IC=20mA RL=100Ω
當使用其他焊接方法（如紅外線燈）時，器件模具中的溫度可能會部分升高。
保持器件封裝的溫度在上述 (1) 推薦的腳印圖案 (MOUNT PAD) 的條件下
單位：毫米
詢價
