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LTV-217-C-G封裝圖
LTV-217-C-G特征
當前傳輸率 (CTR) : MIN。 50% 在 IF = 5mA、VCE = 5V
高輸入輸出隔離電壓。 (Viso=3,750Vrms)
采用雙傳遞模具技術
RoHS合規性:設備中使用的所有材料均遵循歐盟RoHS指令
ESD 通過 HBM 8000V/MM2000V
MSL 等級 1
無鹵
LTV-217-C-G應用
需要高密度安裝的混合基板。
可編程控制器
系統設備、測量儀器
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
參數 符號 評級 單位
217 227 247
輸入正向電流 IF 50 mA
反向電壓 VR 6 V
功耗 P 70 mW
脈沖正向電流 IFSM 1 A
結溫 TJ 125 ℃
輸出集電極 - 發射極電壓 VCEO 80 V
發射極 - 集電極電壓 VECO 7 V
集電極電流 IC 50 mA
集電極功耗 PC 150 100 mW
工作溫度 TJ 125 ℃
總功耗 Ptot 200 170 mW
1. 隔離電壓 Viso 3750 Vrms
工作溫度 Topr -55 ~ +110℃
儲存溫度 Tstg -55 ~ +150℃
2. 焊接溫度 Tsol 260℃
1. AC 1 分鐘,R.H. = 40 ~ 60% 隔離電壓應使用以下方法測量。
(1) yi次側的陽極和陰極之間以及二次側的集電極和發射極之間短路。
(2) 應使用帶過零電路的隔離電壓測試儀。
(3) 施加電壓的波形應為正弦波。
2. FOR 10 秒
Ta=25°C 時的電光學特性
參數符號zui小值類型。zui大限度。單位 測試條件
輸入
正向電壓 VF — 1.2 1.4 V IF=20mA
反向電流 IR — — 10 UA VR=4V
終端電容 Ct — 30 250 pF V=0, f=1KHz
輸出
集電極暗電流 ICEO — — 100 nA VCE=20V,IF=0
集電極-發射極擊穿電壓 BVCEO 80 — — V IC=0.1mA, IF=0
發射極-集電極擊穿電壓 BVECO 7 — — V IE=10uA, IF=0
傳輸特性
集電極電流 IC 2.5 — 30 mA
1. 當前傳輸率 CTR 50 — 600 %
(IF=5mA VCE=5V )
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat) — — 0.4 V
(IF=8mA IC=2.4mA )
隔離電阻 Riso 5*10的10次方 1*10的11次方—Ω
DC500V, 40 ~ 60% R.H.
浮動電容 Cf — 0.6 1 pF V=0, f=1MHz40 ~ 60% R.H.
響應時間(上升)tr — 2 18 us
響應時間(下降)tf — 3 18 us
開啟時間 TON - 3 — us
關斷時間 TOFF - 3 — us
( VCE=10V, IC=2mA RL=100Ω, f=100Hz )
開啟時間 tON - 2 — us
VCE=5V, IC=16mA RL=1.9KΩ
存儲時間 Ts — 25 — us
關斷時間 tOFF — 40 — us