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許俊權 
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LMBT5551LT1G高壓晶體管
FEATUREƽPb-Free 封裝可用。
設備標記和訂購信息
設備 標記 運輸
LMBT5550LT1M1F3000/卷帶
LMBT5550LT1G (無鉛)M1F3000/卷帶 LMBT5551LT1G13000/卷帶
LMBT5551LT1G（無鉛）G13000/卷帶
LMBT5551LT1G尺寸圖
MAXIMUM RATINGS
評級符號價值單位
集電極-發射極電壓VCEO 140 Vdc
集電極-基極電壓VCBO 160 Vdc
發射極-基極電壓VEBO 6.0 Vdc
集電極電流 — 連續IC 600 mAdc
熱特性
特征符號zui大單位
器件總耗散 FR– 5 板，
(1)PD225mWTA= 25°C
25°C 以上降額1.8mW/°C
熱阻，結到環境 RθJA 556°C/W
器件總耗散PD300mWA 氧化鋁基板，(2) TA= 25°C
25°C 以上降額 2.4mW/°C
熱阻，結到環境 RθJA 417°C/W
結點和存儲溫度 TJ,Tstg–55 至 +150°C
LMBT5551LT1電氣特性（TA= 25°C，除非另有說明。）
特征符號 Min Max Unit
關閉特性
集電極-發射極擊穿電壓
(3)V(BR)CEOVdc(IC= 1.0 mAdc, Ia= 0)
LMBT5550 140—
LMBT5551 160—
集電極-基極擊穿電壓V
(BR)CBOVdc(IC= 100μAdc, IE= 0)
LMBT5550 160—
LMBT5551 180—
發射極-基極擊穿電壓 V (BR)
EBOVdc(IE= 10 μAdc, I C= 0) 6.0—
集電極截止電流 ICBO( VCB= 100Vdc, IE= 0)
LMBT5550—100nAdc（VCB=120Vdc，IE=0）
LMBT5551—50（VCB=100Vdc，IE=0，TA=100℃）
LMBT5550—100μAdc(VCB= 120Vdc, IE= 0, TA=100 °C)
LMBT5551—50
發射極截止電流 IEBO—50nAdc(V BE = 4.0Vdc, I C= 0)
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 英寸。
2. 氧化鋁 = 0.4 x 0.3 x 0.024 英寸 99.5% 氧化鋁。
3. 脈沖測試：脈沖寬度 = 300μs，占空比 = 2.0%。
LMBT5551LT1參數
電氣特性（T A = 25°C，除非另有說明）（續）
特征符號MinMaxUnit
關于特性DC
當前 GainhFE––
（IC= 1.0 mAdc，VCE= 5.0 Vdc）
LMBT5550 60—
LMBT5551 80—
（IC= 10 mAdc，VCE= 5.0 Vdc）
LMBT5550 60 250
LMBT5551 80 250
(IC= 50 mAdc, VCE= 5.0Vdc)
LMBT5550 20—
LMBT5551 30—
集電極-發射極飽和電壓
VCE(sat)Vdc
（IC= 10 mAdc，IB= 1.0 mAdc）
兩種類型—0.15
(IC= 50 mAdc, IB= 5.0 mAdc )
LMBT5550—0.25
LMBT5551—0.20
基極-發射極飽和電壓
VBE(sat)Vdc(IC= 10 mAdc, IB= 1.0 mAdc)
兩種類型—1.0（IC= 50 mAdc，IB= 5.0 mAdc）
LMBT5550—1.2
LMBT5551—1.0
詢價