深圳市奧詩達電子有限公司

LTL-4221N尺寸圖

LTL-4221N參數
Absolute  Maximum  Ratings  at  TA=25°C
Parameter    Maximum Rating        Unit
功耗 100 mW
峰值正向電流（1/10 占空比，0.1ms 脈沖寬度） 90 mA
直流正向電流 30 mA
從 50°C 開始線性降額 0.4 mA/°C
反向電壓 5 V
工作溫度范圍 -55°C 至 +100°C
存儲溫度范圍 -55°C 至 +100°C
引線焊接溫度 [距離主體 1.6mm(.063")] 260°C 5 秒

TA=25°C 時的電氣/光學特性
參數符號    Min.  類型typ   Max.  單元  測試條件
發光強度 IV      2.5   8.7  -  mcd        IF = 10mA
視角  2θ 1/2  -   60  - °
峰值發射波長 λP 635 nm 測量 
主波長 λd     615   625   632   nm
譜線半寬 Δλ    40 nm   
正向電壓 VF  -  2.0 2.6 V     IF = 20mA
反向電流 IR 100 μA VR = 5V
電容 C      20 pF    VF = 0 , f = 1MHz


LTL-4221N 驅動方式圖
LED 是電流驅動的設備。 為了確保應用中并聯的多個 LED 的亮度均勻性，
建議在驅動電路中加入一個限流電阻，與每個 LED 串聯，如下圖 A 所示。

(A) 推薦電路 (B) 由于這些 LED 的 I-V 特性不同，每個 LED 的亮度可能會有所不同


ESD (Electrostatic Discharge) 靜電或電涌會損壞 LED。
防止 ESD 損壞的建議： 處理這些 LED 時使用導電腕帶或防靜電手套 。

所有設備、設備和機械必須正確接地 „
工作臺、存儲架等應正確接地 „
使用離子風機 中和可能在 LED 塑料透鏡表面積聚的靜電荷，
因為在儲存和搬運過程中 LED 之間的摩擦會導致 ESD 損壞的 LED 會表現出異常特性，
例如高反向漏電流、低正向電壓或“無光” up”在低電流。
要驗證 ESD 損壞，請在低電流下檢查可疑 LED 的“點亮”和 Vf。
InGaN 產品的“好”LED 的 Vf 應 >2.0V@0.1mA，AlInGaP 產品的 Vf 應 >1.4V@0.1mA。